报告题目:二维材料的单原子成像与谱学研究

报  告  人:周武,中国科学院大学物理科学学院

报告时间:2019-05-24 10:00

报告地点:物理系理科楼C302

报告摘要:二维材料的结构缺陷和物理性质之间的内在联系是当前二维材料研究中的基本科学问题之一。球差校正电镜技术的发展已经使得低电压扫描透射电子显微镜(STEM)能够在原子分辨率及单原子分析灵敏度上对材料进行成像及谱学分析,并同步记录缺陷结构在电子束激发下的动态演变,为在原子尺度研究二维材料的缺陷物理及物性调控提供了新的实验手段。我将介绍我们课题组近几年利用低电压球差校正STEM在二维材料研究中所做的一些工作,包括利用STEM图像来定量测量二维半导体内化学掺杂浓度及掺杂原子的空间分布[1],探索新型二维半导体量子阱超晶格结构的形成机制[2],利用电子束在二维半导体材料内可控制备新型纳米结构[3],以及探索在纳米尺度利用单色电子能量损失谱对双层旋转石墨烯的局域谱学物性进行实验测量。

[1] Gong et al. Nano Letters 14, 442-449 (2014)

[2] Zhou et al. Science Advances 4, eaap9096 (2018)

[3] Lin et al. Nature Nanotechnology 9, 436-442 (2014)