仪器名称：电子束曝光系统（EBL-Crossbeam 340）

生产厂家：德国Zeiss+德国Raith

型　　号：Crossbeam 340

技术指标：

1. SEM

1）加速电压：0.02kV-30kV（10V步进连续可调）

2）最小束斑：1.9nm@1kV；1nm@15kV；0.9nm@30kV

3）电子束束流：5pA-20nA@高分辨率选项、12pA-100nA@高束流选项

4）EBL最小线宽：50nm，套刻精度50nm，拼场精度1μm；放大倍率：12X-2000000X

2. FIB(Ga)

1）加速电压：0.5-30kV（10V步进连续可调）

2）分辨率：3nm@30kV

3）离子束束流：1pA-100nA

4）放大倍率：300X-500000X

5）FIB可持续工作时间：72h

3. 样品台

1）X=100mm，Y=100mm

2）Z=50mm，Z'=13mm

3）T=-3°-70°，R=360°

4. Single Gis：Pt

功能特色：

1. 采用肖特基热场发射电子束源，可在电子束光刻胶上曝光线宽小于50nm的图形结构。

2. 除电子束曝光功能外，具有In lens SE detector和SE2 detector两个二次电子探测器，可实现高分辨率的成像和精确度量。

3. 使用Ion-sculptor FIB的低电压功能，可以制备超薄（50nm）的TEM样品，同时将非晶化损伤降到非常低。

样品要求：XY平面尺寸小于0.8cm×0.8cm，厚度小于5mm，衬底及样品导电好。

仪器地点：物理楼B127

联系方式：黄老师，010-62782773，huangml@mail.tsinghua.edu.cn